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Codigo de designacion de transistores y diodos

 

Transistores :

Está formado por un encapsulado, y tres patillas; una patilla es la base, otra el colector y otra es el emisor. Existen dos tipos de transistores bipolares: npn y pnp.

Los símbolos de los transistores pnp y npn son así:

NPN PNP

El transistor es el resultado de unir tres semiconductores de tipo N y P.

 

Localización de las patillas:

Con el polímetro marcando la escala del diodo, se pone el cable rojo del polímetro en una de las tres patillas y el negro en otra de las patillas, se comprueba lo que marca el polímetro, después con el cable negro se pone en la otra patilla que falta y si en el polímetro da lo mismo que la comprobación anterior, ese transistor funciona.

Para saber si es un pnp o un npn:

Se pone el cable rojo donde creas que sea la base y el negro en la otra patilla y después en la otra patilla, si da un valor alto en las dos mediciones, el transistor es un PNP y si da un valor bajo es un NPN.

DESIGNACIÓN DE TRANSISTORES:

Normalmente el tipo de designación de transistores son dos letras seguidas de tres números. Ej.: BA 145. La primera letra indica si los dispositivos son con uniones o sin uniones y también indica el tipo de material de que está hecho. La segunda letra indica de que clase de dispositivo se trata, si de un diodo o de un transistor y de que tipo. Y los tres números siguientes son números de serie que indica que son dispositivos semiconductores diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

Los que tienen una letra y dos cifras no son para empleo domésticos sino para sistemas del ejercito o algo relacionado. Ahora se presentará una tabla en el que indicará que significa cada nomentatura.

PRIMERA LETRA

distingue entre dispositivos con uniones y sin uniones e indica el material.

SEGUNDA LETRA

indica la aplicación principal y también la construcción en el caso de que se requiera una mayor diferenciación.

NÚMERO DE SERIE

Dispositivos con uniones

A. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 0,6 a 1.0 V, tales como germanio.

B. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 1,0 a 1,3V, tales como silicio.

C. Dispositivos con una o más

uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de 1,3V en adelante, tales como arsenluro de galio.

D. Dispositivos con una o más uniones, que utilizan materiales con un margen de banda de menos de 0,6V, tales como antimonluro de indio.

Dispositivos sin uniones

R. Dispositivos sin uniones, que utilizan materiales como los empleados en generadores Hall y células fotoconductoras.

A. Diodo, detector, alta velocidad, mezclador.

B. Diodo de capacidad variable

C. Transistor de BF (baja poten- cia).

D. Transistor de potencia para BF.

E. Diodo túnel.

F. Transistor de RF (baja poten-

cia).

G. Múltiple de dispositivos no similares.

H. Sonda de campo.

K Generador Hall en un circuito magnético abierto.

L. Transistor potencia para aplicaciones RF.

M. Generador Hall en un circuito magnético cerrado.

P. Dispositivo sensible a radiaciones.

Q. Dispositivo generador de radiaciones.

R. Dispositivo de control y conmutación disparado eléctricamente, con una característica de ruptura (baja po-

tencia).

S. Transistor conmutación (baja potencia).

T. Dispositivo de potencia para control y conmutación disparado eléctricamente o por medio de la luz, que tiene una característica de ruptura.

U. Transistor de potencia conmutación.

X. Diodo multiplicador.

Y. Diodo rectificador, recuperador, de eficiencia.

Z. Diodo de referencia de tensión o regulador de tensión.

Tres cifras para los dispositivos semiconductores diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

Una letra y dos cifras para los dispositivos semiconductores no diseñados para empleo principalmente en aparatos domésticos.

 

En muchos de los circuitos, los transistores y diodos están señalados solamente como "TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto indica que hay muchos transistores que son equivalentes aunque tengan una designación diferente.

Están estas familias de semiconductores representadas por las siguientes abreviaturas. TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio ).

TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )

DUG : Diodo Universal de Germanio

DUS : Diodo Universal de Silicio.

TUP, TUN, DUG y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mínimas para ser considerados como tales. Las especificaciones mínimas pueden verse en estas tablas.

TRANSISTORES

 

Tipo

Vceo max.

Ic. max

hFE min.

Ptot max.

fT min.

TUN

TUP

NPN

PNP

20V

20V

100mA

100mA

100

100

100mW

100mW

100MHz

100MHz

DIODOS

 

Tipo

VR max.

IF max.

IR max.

Ptot max.

CD max

DUS

DUG

Si

Ge

25V

20V

100mA

35mA

1 µA

100 µA

250 mW

250 mW

5 pF

10 pF

 

Diferentes encapsulados de los transistores:

Este transistor tiene una forma diferente al de los otros de baja potencia. El encapsulado es diferente porque es metálico y mas grande. Este tipo de transistores tiene tres patillas, dos de ellas se ven pero la otra está en el encapsulado.


El encapsulado de este transistor es pequeño y cuadrado de color negro y tiene las tres patillas e línea.


Este transistor es pequeño y muy simple. Su encapsulado es de color negro con sus tres patillas en serie.


 

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