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Codigo de designacion
de transistores y diodos
Transistores :
Está formado por un encapsulado, y tres patillas; una patilla
es la base, otra el colector y otra es el emisor. Existen dos
tipos de transistores bipolares: npn y pnp.
Los símbolos de los transistores pnp y npn son así:
NPN PNP
El transistor es el resultado de unir tres semiconductores de
tipo N y P.
Localización de las patillas:
Con el polímetro marcando la escala del diodo, se pone el cable
rojo del polímetro en una de las tres patillas y el negro en otra
de las patillas, se comprueba lo que marca el polímetro, después
con el cable negro se pone en la otra patilla que falta y si en
el polímetro da lo mismo que la comprobación anterior, ese transistor
funciona.
Para saber si es un pnp o un npn:
Se pone el cable rojo donde creas que sea la base y el negro
en la otra patilla y después en la otra patilla, si da un valor
alto en las dos mediciones, el transistor es un PNP y si da un
valor bajo es un NPN.
DESIGNACIÓN DE TRANSISTORES:
Normalmente el tipo de designación de transistores son dos letras
seguidas de tres números. Ej.: BA 145. La primera letra indica
si los dispositivos son con uniones o sin uniones y también indica
el tipo de material de que está hecho. La segunda letra indica
de que clase de dispositivo se trata, si de un diodo o de un transistor
y de que tipo. Y los tres números siguientes son números de serie
que indica que son dispositivos semiconductores diseñados para
empleo principalmente en aparatos domésticos.
Los que tienen una letra y dos cifras no son para empleo domésticos
sino para sistemas del ejercito o algo relacionado. Ahora se presentará
una tabla en el que indicará que significa cada nomentatura.
PRIMERA LETRA
distingue entre dispositivos con uniones y
sin uniones e indica el material.
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SEGUNDA LETRA
indica la aplicación principal y también la
construcción en el caso de que se requiera una mayor diferenciación.
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NÚMERO DE SERIE
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Dispositivos con uniones
A. Dispositivos con una o más uniones, que
utilizan materiales con un margen de banda de 0,6 a 1.0
V, tales como germanio.
B. Dispositivos con una o más uniones, que
utilizan materiales con un margen de banda de 1,0 a 1,3V,
tales como silicio.
C. Dispositivos con una o más
uniones, que utilizan materiales con un margen
de banda de 1,3V en adelante, tales como arsenluro de galio.
D. Dispositivos con una o más uniones, que
utilizan materiales con un margen de banda de menos de 0,6V,
tales como antimonluro de indio.
Dispositivos sin uniones
R. Dispositivos sin uniones, que utilizan
materiales como los empleados en generadores Hall y células
fotoconductoras.
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A. Diodo, detector,
alta velocidad, mezclador.
B. Diodo de capacidad variable
C. Transistor de BF (baja poten- cia).
D. Transistor de potencia para BF.
E. Diodo túnel.
F. Transistor de RF (baja poten-
cia).
G. Múltiple de dispositivos no similares.
H. Sonda de campo.
K Generador Hall en un circuito magnético
abierto.
L. Transistor potencia para aplicaciones RF.
M. Generador Hall en un circuito magnético
cerrado.
P. Dispositivo sensible a radiaciones.
Q. Dispositivo generador de radiaciones.
R. Dispositivo de control y conmutación disparado
eléctricamente, con una característica de ruptura (baja
po-
tencia).
S. Transistor conmutación (baja potencia).
T. Dispositivo de potencia para control y
conmutación disparado eléctricamente o por medio de la luz,
que tiene una característica de ruptura.
U. Transistor de potencia conmutación.
X. Diodo multiplicador.
Y. Diodo rectificador, recuperador, de eficiencia.
Z. Diodo de referencia de tensión o regulador
de tensión.
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Tres cifras para los
dispositivos semiconductores diseñados para empleo principalmente
en aparatos domésticos.
Una letra y dos cifras para los dispositivos
semiconductores no diseñados para empleo principalmente
en aparatos domésticos.
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En muchos de los circuitos, los transistores y diodos están señalados
solamente como "TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto indica que hay
muchos transistores que son equivalentes aunque tengan una designación
diferente.
Están estas familias de semiconductores representadas por las
siguientes abreviaturas. TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio
).
TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )
DUG : Diodo Universal de Germanio
DUS : Diodo Universal de Silicio.
TUP, TUN, DUG y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mínimas
para ser considerados como tales. Las especificaciones mínimas
pueden verse en estas tablas.
TRANSISTORES
|
Tipo
|
Vceo max.
|
Ic. max
|
hFE min.
|
Ptot max.
|
fT min.
|
TUN
TUP
|
NPN
PNP
|
20V
20V
|
100mA
100mA
|
100
100
|
100mW
100mW
|
100MHz
100MHz
|
DIODOS
|
Tipo
|
VR max.
|
IF max.
|
IR max.
|
Ptot max.
|
CD max
|
DUS
DUG
|
Si
Ge
|
25V
20V
|
100mA
35mA
|
1 µA
100 µA
|
250 mW
250 mW
|
5 pF
10 pF
|
Diferentes encapsulados
de los transistores:
Este transistor tiene una forma diferente al de los otros de
baja potencia. El encapsulado es diferente porque es metálico
y mas grande. Este tipo de transistores tiene tres patillas, dos
de ellas se ven pero la otra está en el encapsulado.
El encapsulado de este transistor es pequeño y cuadrado de color
negro y tiene las tres patillas e línea.
Este transistor es pequeño y muy simple. Su encapsulado es de
color negro con sus tres patillas en serie.
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